JANTX1N5615US-TR表面贴装整流二极管

发布于:2024-11-19 11:26:29

品牌名称:Microsemi

重要参数:

电压:200V

电流:1A

温度范围:-65°C至+175°C

封装:D-5A


  • 产品详情
TYPEWORKING
  PEAK
REVERSE
VOLTAGE
  VRWM
MINIMUM
BREAKDOWN
VOLTAGE
VeR @50μA
  AVERAGE
  RECTIFIED
  CURRENT
  lo@TA
  (NOTE  1)
FORWAR
D
VOLTAGE
(MAX)
VF@3A
  REVERSE
  CURRENT
  (MAX.)
  Ir @VRWM
CAPACITANCE
(MAX.)
C@VR=12    V
f=1 MHz
MAXIMUM
sURGE
CURRENT
FSM
(NOTE  2)
REVERSE
RECOVERY
(MAX)
(NOTE 3)
t

VOLTSVOLTSAMPSVOLTSμApFAMPSns



50℃100℃
25℃100℃


1N5615US200 220 1.00 .750 .8 MIN.
1.6 MAX
.5 25 45 25 150 
1N5617US400 440 1.00 .750 .5 25 35 25 150 
1N5619US600 660 1.00 .750 .5 25 25 25 250 
1N5621US800 880 1.00 .750 .5 25 20 25 300 
1N5623US1000 1100 1.00 .750 .5 25 15 25 500 

产品描述

1N5615US至1N5623US系列:这是一系列快速恢复表面贴装整流器,符合MIL-PRF-19500/429军用标准,适用于高可靠性应用,如军事和其他不允许失败的应用。

封装:这些器件采用无空洞玻璃封装,内部采用“Category I”冶金键合。

工作峰值反向电压:200至1000伏特。

电流等级:平均整流电流为1.0安培。

特性与应用

表面贴装封装:等同于JEDEC注册的1N5615至1N5623系列。

无空洞密封玻璃封装:提供更好的可靠性和性能。

三重层钝化:增强器件的稳定性和耐用性。

内部冶金键合:提高器件的可靠性。

工作峰值反向电压:200至1000伏特。

快速恢复1安培整流器:适用于200至1000伏特的军事和高可靠性应用。

最大额定值

结温与存储温度:-65°C至+175°C。

热阻:13°C/W(结至端盖)。

热阻抗:4.5°C/W(10ms加热时间)。

平均整流前向电流:1.0安培(TA=55°C)。

前向浪涌电流:30安培(8.3ms半正弦波)。

电气特性

工作峰值反向电压(VRWM):200至1000伏特。

最小击穿电压(VBR):220至1100伏特。

平均整流电流(IO):1.00安培。

最大前向电压(VF):0.750至0.750伏特。

最大反向电流(IR):0.5至0.5微安培。

电容(C):25至25皮法拉(1MHz,12V)。

最大浪涌电流(IFSM):150至500安培。

反向恢复时间(trr):未提供具体数值。


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