- 产品详情
TYPE | WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE VRWM | MINIMUM BREAKDOWN VOLTAGE VeR @50μA | AVERAGE RECTIFIED CURRENT lo@TA (NOTE 1) | FORWAR D VOLTAGE (MAX) VF@3A | REVERSE CURRENT (MAX.) Ir @VRWM | CAPACITANCE (MAX.) C@VR=12 V f=1 MHz | MAXIMUM sURGE CURRENT FSM (NOTE 2) | REVERSE RECOVERY (MAX) (NOTE 3) t | ||
VOLTS | VOLTS | AMPS | VOLTS | μA | pF | AMPS | ns | |||
50℃ | 100℃ | 25℃ | 100℃ | |||||||
1N5615US | 200 | 220 | 1.00 | .750 | .8 MIN. 1.6 MAX | .5 | 25 | 45 | 25 | 150 |
1N5617US | 400 | 440 | 1.00 | .750 | .5 | 25 | 35 | 25 | 150 | |
1N5619US | 600 | 660 | 1.00 | .750 | .5 | 25 | 25 | 25 | 250 | |
1N5621US | 800 | 880 | 1.00 | .750 | .5 | 25 | 20 | 25 | 300 | |
1N5623US | 1000 | 1100 | 1.00 | .750 | .5 | 25 | 15 | 25 | 500 |
产品描述
1N5615US至1N5623US系列:这是一系列快速恢复表面贴装整流器,符合MIL-PRF-19500/429军用标准,适用于高可靠性应用,如军事和其他不允许失败的应用。
封装:这些器件采用无空洞玻璃封装,内部采用“Category I”冶金键合。
工作峰值反向电压:200至1000伏特。
电流等级:平均整流电流为1.0安培。
特性与应用
表面贴装封装:等同于JEDEC注册的1N5615至1N5623系列。
无空洞密封玻璃封装:提供更好的可靠性和性能。
三重层钝化:增强器件的稳定性和耐用性。
内部冶金键合:提高器件的可靠性。
工作峰值反向电压:200至1000伏特。
快速恢复1安培整流器:适用于200至1000伏特的军事和高可靠性应用。
最大额定值
结温与存储温度:-65°C至+175°C。
热阻:13°C/W(结至端盖)。
热阻抗:4.5°C/W(10ms加热时间)。
平均整流前向电流:1.0安培(TA=55°C)。
前向浪涌电流:30安培(8.3ms半正弦波)。
电气特性
工作峰值反向电压(VRWM):200至1000伏特。
最小击穿电压(VBR):220至1100伏特。
平均整流电流(IO):1.00安培。
最大前向电压(VF):0.750至0.750伏特。
最大反向电流(IR):0.5至0.5微安培。
电容(C):25至25皮法拉(1MHz,12V)。
最大浪涌电流(IFSM):150至500安培。
反向恢复时间(trr):未提供具体数值。