JANTX1N5770低电容二极管阵列

发布于:2024-11-19 13:45:25

品牌名称:Microsemi

重要参数:

电压:60V

电流:0.3A

封装:10引脚陶瓷扁平封装

重量:约0.25克

  • 产品详情

1N5770是一款低电容二极管阵列,具有公共阳极,由多个独立的隔离结组成,通过平面工艺制造,并封装在10引脚的陶瓷扁平封装中。这些二极管用于保护多达八个I/O端口免受ESD(静电放电)、EFT(电快速瞬变)或浪涌的影响,通过将它们导向地线。该产品还与1N5768型号配合使用,后者具有公共阴极。此外,可以在正电源线和地之间添加外部TVS二极管,以防止电源轨上的过电压。它们也可用于快速开关核心驱动器应用,包括计算机和外围设备,如磁芯、薄膜存储器、镀线存储器等,以及解码或编码应用。这些阵列提供了乐动平台的许多优势,如高密度封装和提高的可靠性,这是由于减少了拾放操作、更小的占用空间、更轻的重量,以及消除了可能在PCB安装中不太方便的各种离散封装。

特性与应用:

采用密封陶瓷封装。

隔离二极管消除串扰电压。

高击穿电压VBR > 60V(10μA)。

低漏电流IR < 100nA(40V)。

低电容C < 8.0pF。

提供符合MIL-PRF19500/474标准的JAN、JANTX、JANTXV和JANS筛选选项,通过在零件号前分别添加MQ、MX、MV或MSP前缀来指定。例如,MX1N5770表示JANTX筛选。

适用于高频数据线、RS-232 & RS-422接口网络、以太网10 Base T、计算机I/O端口、局域网、开关核心驱动器等。

最大额定值(机械和包装):

反向击穿电压VBR:最小60V。

连续前向电流IO:300mA。

前向浪涌电流IFSM:500mA(tp=1/120s)。

每个结在25°C时的功率耗散:400mW。

每个封装在25°C时的功率耗散:500mW。

工作结温范围:-65至+150°C。

存储温度范围:-65至+200°C。

重量:约0.25克。

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