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1N6506是一款用于保护I/O端口的低电容隔离二极管阵列，具有以下特点：
密封陶瓷封装。
隔离二极管以消除串扰电压。
高击穿电压VBR > 60V。
低漏电流IR < 100nA。
低电容C < 4.0 pF。
开关速度小于20纳秒。
提供符合MIL-PRF-19500/474标准的JAN、JANTX、JANTXV和JANS级别的筛选选项。
应用/优势：
高频数据线。
RS-232 & RS-422接口网络。
以太网：10 Base T。
计算机I/O端口。
局域网。
快速开关核心驱动器。
最大额定值：
反向击穿电压VBR：最小60V。
连续正向电流IO：300mA。
正向浪涌电流IFSM：500mA。
每个结的功率耗散：25°C时400mW。
每个封装的功率耗散：25°C时600mW。
工作结温范围：-65至+150°C。
存储温度范围：-65至+200°C。
14引脚陶瓷DIP封装。
重量：大约2.05克。
